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從國家核心基礎元器件的需求出發(fā),開發(fā)了具有自主知識產(chǎn)權的增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管技術,針對AR/VR顯示芯片的實際需求和技術難點,研制了具有高發(fā)光效率與色彩表現(xiàn)優(yōu)異的超高分辨率自發(fā)光氮化鎵Micro-LED微顯示芯片。